昕感科技碳化硅场效应晶体管选型表
昕感科技提供以下碳化硅场效应晶体管（SiC field effect transistor/SiC FET）的参数选型：BVᴅs(V)：650V to 1700V，RDᴅs(on)(mΩ)：21V to 1000V。
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产品型号
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品类
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BVᴅs(V)
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RDᴅs(on)(mΩ)
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Vɢs(th)(V)(Typ.)
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Continuous Drain Current(A)(max)
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Iᴅss(μA)(Typ.)
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Vsᴅ(V)(Typ.)
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Tᴊ(max)(℃)
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封装
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N1M065030PD2
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碳化硅场效应晶体管
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650
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30
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2.6
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70
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1
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4.2
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175
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TO-247-3
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选型表 - 昕感科技 立即选型
昕感科技碳化硅肖特基二极管选型表
昕感科技提供以下碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky diode）的参数选型：Tᴊ(max)(℃)：175℃，VR(V)：650V和1200V，Iғ(A)：4A to 40A。
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产品型号
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品类
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Tᴊ(max)(℃)
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VR(V)
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Iғ(A)
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Vғ(V)
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Iʀ(μA)
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Iғsᴍ(A)
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封装
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N2S065004PA2
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碳化硅肖特基二极管
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175
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650
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4
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1.4
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1.5
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40
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TO-220C-2
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选型表 - 昕感科技 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
秒懂半导体封装技术——银烧结技术
银烧结技术，一种在300℃以下实现高可靠性连接的低温技术，正成为功率模块封装领域的焦点。该技术通过银颗粒间原子扩散实现互连，提供优异的导电和导热性能，满足高温应用需求。银烧结技术环保无铅，但面临设备和材料成本较高的挑战。随着技术优化，其在汽车电子、航空航天等领域有广泛应用前景。
解析SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压
SiC MOSFET的门极驱动设计并不复杂。和硅基IGBT、硅基超结MOSFET基本类似。设计上可简单分解为硅基IGBT的负压驱动设计能力+硅基超结MOSFET的高速开关设计能力。本文昕感科技将为您介绍SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压。
清华大学电子系党委书记看望昕感科技，期待未来在集成电路领域的合作交流
2024年7月17日下午，清华大学电子系党委书记沈渊带队前往无锡江阴调研北京昕感科技有限责任公司在江阴特色工艺晶圆厂，集成电路学院校友、董事长王哲参与考察接待并进行交流座谈。昕感科技期待未来更多与清华大学在集成电路领域的合作交流。
京能集团副总经理陈国高一行莅临参观昕感科技
5月30日上午，北京能源集团副总经理陈国高一行前往无锡江阴，对北京昕感科技有限责任公司在江阴在建的特色工艺晶圆厂进行了深入的调研和参观。此次考察旨在增进双方了解，并就相关产业技术进行交流。
昕课堂丨一文了解SiC MOSFET鲁棒性原理
昕感科技基于车规平台推出的1200V SiC MOSFET系列产品拥有优异的鲁棒性。在800V母线电压条件下短路耐受时间达到3us，可以为系统提供充分的反应时间，提升了系统的可靠性。昕感N2M120007PP11同样拥有优秀的最大雪崩击穿耐受能量EAS 。
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导，合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午，无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份，深入一线、现场视察，听取民意、汇集民智，不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化，产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术，通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中，再通过功率变换电路给负载进行充电，从而实现非接触式充电。近年来，电动汽车无线充电技术备受关注，并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
昕感带你看懂SiC MOSFET SOA曲线
SOA的全称是Safe Operating Area，中文名是安全工作区，指功率器件可以正常工作不被损坏的电流-电压区间。当下商用功率SiC MOSFET的数据手册中都会提供SOA曲线，方便工程师进行设计。本文昕感科技将带你详细了解SOA曲线。
浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利
为开发高质量的沟槽SiC MOSFET产品，昕感科技很早便开始先进沟槽型技术的布局，已形成沟槽型SiC MOSFET方案。目前已公开的先进沟槽型SiC MOSFET结构设计相关专利达到10项，其中9项已实现授权，专利文件中也都包含完整的电学仿真结果证明新结构的性能优越性，并附上完整的制造流程指导方案的实现。授权专利中的结构可以分为四大类，本文将给大家分别介绍其中的关键技术。
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