芯众享（CORENICS）SiC/GaN 功率器件选型指南
企业简介和资质证书 产品命名规则 碳化硅概述 碳化硅SBD 碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块 氮化镓 可靠性测试/应用领域 应用方案
芯众享 - 半桥模块,IGBT模块,SIC场效应晶体管,SIC二极管,碳化硅功率模块,碳化硅MOSFET,NPC2三电平模块,SIC MOSFET,碳化硅SBD,SIC模块,SIC MOS,SIC SBD,碳化硅MOS,氮化镓高电子迁移率晶体管,功率模块,平面栅型 SIC MOSFET,充电桩模块,SIC 肖特基二极管,SIC MOSFET,SIC备用电池,GAN HEMT,三相全桥MOSFET 模块,CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170,电网传输,高压大功率应用,直流充电桩,储能系统,家用电子设备,新能源汽车主逆变器,光伏发电,PFC,充电模块,光伏逆变,不间断电源,电动汽车,UPS,汽车OBC,PFC电源,轨道交通输变电系统,储能,服务器电源,DCDC,电机驱动,充电设备,充电装置,电焊机,工业控制,新能源发电,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,风力发电,新能源汽车,输变电系统,新能源,车载 OBC/DCDC,逆变器,全氟化碳,智能电网,轨道交通,通信电源,SMPS,光伏逆变器,辅助电源
芯众享（CORENICS）快充/主控芯片选型指南
公司介绍 快充应用方案 快充芯片产品选型表 芯片介绍 技术支持
芯众享 - 主控芯片,芯片,快充芯片,E-MODE GAN FET驱动器,GAN FET驱动器,CEA3143PW8,CEA3405PW8,CEA6801PP10,CEA6601PW8S,CEA6717PW8,CEA7M10PD,CEA6601PW8,CEA6710PW8,CEA5020PT6,CEA6801PP10S,开放电源,TV,USB-PD快充,超低压的反激电源,可变输出的反激电源,反激电源,充电器,TV电源,大功率快速充电器,快充,机顶盒电源,适配器,QC快充,PD快充,电视
发布时间 : 2025-03-03
芯众享SIC SBD选型表
芯众享SIC SBD选型表提供芯众享碳化硅二极管选型，包括Vrrm:650V/1200V/1700V,lf:6A/10A/15A/20A/30A/40A,Vf:52V-195V, Ifsm(A):1.38A-1.62A.
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产品型号
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品类
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封装
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Vrrm (V)
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If (A)
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Vf (V)
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Ifsm (A)
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Ir (uA)
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QC (nC)
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CEB40D120R3
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SiC SBD
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TO-247-3
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1200V
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40A
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194V
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1.62A
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5.1uA
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51nC
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芯众享MOSFET选型表
芯众享SIC MOSFET选型表提供以下技术参数的碳化硅MOSFET选型，Vrrm:650V-1700V,If:16A-80A,Vf:32V-115V,Ifsm:2.5A-3A,Ir:71uA-207uA,QC:145nC-556nC,电阻16mΩ-1000mΩ
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产品型号
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品类
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封装
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Vrrm (V)
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If (A)
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Vf (V)
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Ifsm (A)
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Ir (uA)
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QC (nC)
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CEB080M120R4
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SiC MOSFET
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TO-247-4
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1200V
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80A
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32V
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3A
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72uA
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145nC
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【技术】一文介绍芯众享碳化硅和氮化镓器件在服务器电源上的应用
碳化硅在服务器电源中率先得到应用。得益于碳化硅极小的反向恢复损耗，碳化硅二极管较早便取代了PFC中的硅二极管，立竿见影的提高了PFC的效率。随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性的提高，又出现了采用碳化硅MOSFET取代硅MOSFET的设计。
芯众享推出DFN5*6和DFN8*8封装的快充PFC电路专用碳化硅二极管，最高工作温度可达175℃
芯众享针对USB PD快充推出了两款超薄封装的碳化硅二极管，助力高功率密度快充产品的开发。该两款器件参数均为650V耐压，Tc=155℃时连续正向电流为6A，封装分为DFN8*8和DFN5*6。几乎无反向开关损耗的特性，可显著提高系统能效。
CEB016M120R4碳化硅功率MOSFET
该资料介绍了CEB016M120R4型号的碳化硅功率MOSFET的特性。它具有高阻断电压、低导通电阻和高频切换能力，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和脉冲功率应用。
芯众享 - 碳化硅功率场效应晶体管,SILICON CARBIDE POWER MOSFET,CEB016M120R4,电机驱动,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,脉冲功率应用,BATTERY CHARGERS,太阳能逆变器,蓄电池充电器,PULSED POWER APPLICATIONS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES
【经验】碳化硅二极管对比硅二极管之8大优势
碳化硅作为第三代半导体材料，可实现以前使用硅无法实现的许多高功率应用。650V/1200V碳化硅肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用，可应对高电压和高电流应用的挑战。那么碳化硅二极管和硅二极管相比，哪些优势？
芯众享成功获得高新技术企业认证！将不断加大在研发和技术创新方面投入，为市场提供高品质半导体功率器件
芯众享成功获得高新技术企业认证！在未来，芯众享将继续秉持着“技术驱动，创新引领”的发展理念，不断加大在研发和技术创新方面的投入，为客户提供更加卓越的产品和服务。芯众享将以更加饱满的热情，更加坚定的信念，不断挑战自我，迎接更多科技创新的机遇和挑战。
【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。
SiC SBD/MOS供应商芯众享授权开云app官方登录入口代理，加速国产化替代
SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷，并实现更高阻断电压和雪崩能力。
【经验】碳化硅功率器件如何满足车载充电机OBC中的应用需求？
车载充电机是任何一辆新能源汽车必须配置的功能。车载充电机（On-Board Charger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢速充电。
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