TOSHIBA

TB6612FNG TOSHIBA Bi-CD 单晶硅集成电路 数据手册

TOSHIBA  -  BI-CD单晶硅集成电路,双DC马达驱动IC,驱动IC,TB6612FNG

TC7SB66FU TOSHIBA CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC

TC7SB66FU是一款低电阻、高速CMOS单比特总线开关，适用于模拟信号传输。具有低功耗、高速操作、超低导通电阻等特点，适用于各种电子应用。

TOSHIBA  -  TC7SB66FU

TA75S01F Toshiba双极线性集成电路硅单片

TOSHIBA  -  单路运算放大器,双极线性集成电路,BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT,SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER,TA75S01F

东芝领先的存储创新

Toshiba作为存储创新领导者，拥有全球最大的NAND晶圆厂和丰富的设计经验。其产品线涵盖固态硬盘（SSD）和硬盘驱动器（HDD），预计到2025年，数据价值将创造巨大商机。Toshiba致力于提供全面的产品组合，包括企业级、客户端和特殊应用的高质量HDD和SSD。公司拥有强大的研发实力，是全球增长最快的存储设备供应商，并拥有众多专利。

TOSHIBA  -  TBD62781AFWG,TBD62781A,TBD62781APG

2SC4541东芝晶体管硅NPN外延型（PCT工艺）

本资料详细介绍了TOSHIBA公司生产的2SC4541型硅NPN外延型晶体管。该晶体管适用于功率放大器和开关应用，具有低饱和电压、高速开关时间等特点，并提供了详细的电气特性和绝对最大额定值。

TOSHIBA  -  硅NPN外延型晶体管,SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR,2SC4541

东芝分立器件射频功率MOSFET RFM04U6P应用说明

本资料为TOSHIBA Discrete Devices RF Power MOSFET RFM04U6P的应用说明，内容包括偏置电流/直流特性、输入-输出特性/射频特性等。资料提供了多种条件下的特性曲线，包括不同Vds、Vgs、Ibias和负载阻抗下的特性。此外，还详细介绍了测试系统和测试结果，包括功率增益、输出功率、漏极效率等参数。

TOSHIBA  -  RFM04U6P

TC4S81F东芝CMOS数字集成电路单片硅

本资料主要介绍了TC4S81F产品的技术规格、操作范围、使用限制以及注意事项。资料中详细说明了产品的最大额定值、工作范围、使用限制，并强调了客户在使用产品时的责任和TOSHIBA的免责声明。

TOSHIBA  -  硅单片CMO5数字集成电路,SILICON MONOLITHIC CMO5 DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT,TC4S81F,2输入与门,2 INPUT AND GATE

东芝开关二极管系列迷你目录简介

Toshiba提供多种小型封装的开关二极管，包括单型二极管和复合型二极管。自1956年开始大规模生产二极管以来，Toshiba一直是半导体行业的先驱，其典型开关二极管M8555以其紧凑、高性能和低成本著称。资料介绍了二极管的基本结构、操作原理、电流电压特性，并提供了多种开关二极管的详细规格和选择表。此外，还强调了Toshiba二极管产品在日本和泰国的生产基地的高质量和安全性。

TOSHIBA  -  单型二极管,开关二极管,组合型二极管,COMBINED-TYPE DIODES,SINGLE-TYPE DIODES,SWITCHING DIODE,SWITCHINGDIODE,1SS307E,1SS361FV,HN1D02F,HN2D02FU,1SS250,1SS370,1SS403,TBAV99,HN1D02FE,BAV99,HN1D01F,HN1D01FU,1SS361CT,HN1D03FU,1SS184,1SS382,HN4D01JU,1SS187,TBAV70,1

1SS309东芝二极管硅外延平面型

TOSHIBA 1SS309是一款硅 epitaxial平面型二极管，适用于超高速开关应用。该产品具有小型封装、低正向电压、快速反向恢复时间和小总电容等特点。资料中提供了该产品的电气特性、绝对最大额定值、标记、反向恢复时间测试电路等信息。

TOSHIBA  -  硅外延平面型二极管,SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE,1SS309,超高速交换,ULTRA HIGH SPEED SWITCHING

1SS389东芝二极管硅外延肖特基势垒型

TOSHIBA 1SS389是一款硅肖特基二极管，适用于高速开关应用。该产品具有小封装、低正向电压（典型值为0.23V）等特点，适用于多种电子设备。

TOSHIBA  -  硅外延肖特基势垒型二极管,SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE,1SS389,高速开关应用,HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

东芝紧凑型LDO稳压器迷你目录简介

Toshiba推出一系列高性能LDO稳压器，输出电压从0.55V至5.0V，输出电流从200mA至1500mA，适用于多种应用场景。这些LDO稳压器具有超低 dropout、超低功耗、高PSRR、超高速负载瞬态响应和低浪涌电流等特点，提供高性价比的线性电源解决方案。产品采用多种封装形式，包括超紧凑型WCSP和通用引线类型，确保易于使用。Toshiba的LDO稳压器在日本和泰国的工厂生产，保证产品质量和稳定性。

TOSHIBA  -  紧凑型LDO稳压器,高品质LDO稳压器,高性能LDO稳压器,COMPACT LDO REGULATORS,HIGH-PERFORMANCE LDO-REGULATORS,HIGH-QUALITY LDO REGULATORS,TCR3UM**,TCR2DG**,TCR2EF**,TCR15AG**,TCR2LN**,TCR8BM**,TCR5RG**,TCR5B,**,TCR13AG**,TCR2EN**,TCR4DG*,TCR3UG**,TCR3RM**,TCR3DF**,TCR3DG**,TCR3U**,TCR3DM