| 型号/品牌 | 参数 | 供应商 | 价格 | 库存 | 代理服务 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV1Q12030D7ZG 描述：1200V 30mΩ 车规级SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO263-7 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 79.4286 100+: ¥ 77.2223 2000+: ¥ 69.5000 |
世强仓： 5 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q17020T4Z 描述：第二代车规级SiC MOSFET,1700V 20mΩ 封装/外壳/尺寸：TO247-4 最小包装量：120
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 115.7143 100+: ¥ 112.5000 2000+: ¥ 101.2500 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q07014T4Z 描述：750V 14mΩ 第二代车规级SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO247 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 120.0000 100+: ¥ 116.6667 2000+: ¥ 105.0000 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q12080T4Z 描述：1200V 80mΩ 第二代车规级SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO247 4 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 30.8000 100+: ¥ 29.9445 2000+: ¥ 26.9500 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV1Q12080T4Z 描述：1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO247 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 37.8572 100+: ¥ 36.8056 2000+: ¥ 33.1250 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M3K170W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1700;RDSON(mΩ)@25℃:50Ω;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M1000170W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1700;RDSON(mΩ)@25℃:560;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M080120W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:59;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040065W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):650;RDSON(mΩ)@25℃:33;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M022120W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:22;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M1000170JA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1700;RDSON(mΩ)@25℃:560;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-263-7L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 10.0000 100+: ¥ 9.4118 500+: ¥ 8.8889 |
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040120W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:37;Qualification车规级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M1000170DA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1700;RDSON(mΩ)@25℃:560;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-3L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 10.0000 100+: ¥ 9.4118 500+: ¥ 8.8889 |
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M080120KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:59;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M080120J 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:59;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-263-7L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040120KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:37;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M022120KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:22;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M017120KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:14.5;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040065TA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):650;RDSON(mΩ)@25℃:33;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TOLL 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M013120KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:13;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040065KA 描述：SiC MOSFET,VDS(V):650;RDSON(mΩ)@25℃:33;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HBHX004120K1M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:4.25;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：62mm 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 625.0000 100+: ¥ 588.2353 500+: ¥ 555.5556 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HBHX007120E1M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:6.7;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：Easy-1B 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HBHX080120S8M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:80;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：HSOP8 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 625.0000 100+: ¥ 588.2353 500+: ¥ 555.5556 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：FBHX003120H1M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:2.5;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：HPD 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：FBHX080120E2M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:80;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：Easy-2B 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HBHX080120S9M1A001 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:80;Qualification车规级 封装/外壳/尺寸：HSOP9 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 625.0000 100+: ¥ 588.2353 500+: ¥ 555.5556 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：N1M120080PK(车规级) 描述：VDS:1200V,RDS(on):80mΩ,ID@25℃:36A 封装/外壳/尺寸：TO-247-4 最小包装量：30
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 4,000 (约约5工作日个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：WM2HA040120K 描述：N-Channel SiC Power MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO-247-3 最小包装量：30
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
¥ 51.8000 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：ADS070N12AT9 描述：1200V/70mΩ TO263-7R SiC MOSFET分立器件 封装/外壳/尺寸：TO263-7R 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：YJD206525NCFGH 描述：SiC Mosfet,Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement),Blocking Voltag(V):650 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：360
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
¥ 44.8000 |
世强仓： 12 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：YJD2170500NCTGH 描述：...Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement),SiC Mosfet,Blocking Voltag(V):1700,Current Rating(A):8.3,Generation:GH,Rdson(mΩ)@25℃:500,RthJ-C(°C/W):1.69 封装/外壳/尺寸：TO-247AB 最小包装量：360
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 18.1540 360+: ¥ 16.8570 1080+: ¥ 15.7330 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：YJD2065200NCTGH 描述：SiC Mosfet,Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) 封装/外壳/尺寸：TO-247AB 最小包装量：360
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：YJD2065100NCTGH 描述：SiC Mosfet,Silicon Carbide Power MOSFET(N-Channel Enhancement) 封装/外壳/尺寸：TO-247AB 最小包装量：360
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 17.6920 360+: ¥ 16.4290 1080+: ¥ 15.3330 |
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：BSM180D12P2E002 描述：200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module 封装/外壳/尺寸：E 最小包装量：4
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 5,537.7102 4+: ¥ 5,111.7325 |
世强仓： 4 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：SCS212ANHR 描述：...12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive,Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode,Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package) 最小包装量：1,000
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：SCS220KNHR 描述：...20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive,Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package),Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode 最小包装量：1,000
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：SCS215ANHR 描述：...15A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive,Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode,Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (Wide creepage distance, 3-pin package) 最小包装量：1,000
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：BSM180C12P2E202 描述：1200V, 204A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module 封装/外壳/尺寸：E 最小包装量：4
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M013120W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:13;Qualification工业级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M060065W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):650;RDSON(mΩ)@25℃:55;Qualification工业级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M017120W 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:14.5;Qualification工业级 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040120J 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:37;Qualification工业级 封装/外壳/尺寸：TO-263-7L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：HX1M040120K 描述：SiC MOSFET,VDS(V):1200;RDSON(mΩ)@25℃:37;Qualification工业级 封装/外壳/尺寸：TO-247-4L 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 品牌仓： 10,000 (约7个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q06040D7Z 描述：650V 40mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO263-7 最小包装量：800
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 30.6429 100+: ¥ 29.7917 2000+: ¥ 26.8125 |
世强仓： 13 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV1Q06040T4Z 描述：650V 40mΩ 汽车级 SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO247-4 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
1+: ¥ 44.2858 100+: ¥ 43.0556 2000+: ¥ 38.7500 |
世强仓： 11 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q12030D7Z 描述：1200V 30mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO263-7 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q12040D7Z 描述：1200V 40mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：TO263-7 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：IV2Q171S0BD 描述：1700V 10000mΩ 工业级 SiC MOSFET 封装/外壳/尺寸：Bare Die 最小包装量：1
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
|
世强仓： 0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
系列：10-PY126PA020MR-L227F28Y 描述：...1 SiC 1200V/20mΩ power module without thermal paste 12mm housing with Press-fit pins 封装/外壳/尺寸：flow 1 最小包装量：100
更多参数 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
|
¥ 2,420.4210 |
世强仓： 97 (约1个工作日) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
原厂认证
世强自营
一支起订
授权代理|
|
|
