无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导，合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午，无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份，来到高新区参加市人大代表“履职问计活动周”专题视察活动，聚焦教育办学、项目建设等工作重点，深入一线、现场视察，听取民意、汇集民智，不断开创江阴高质量发展新局面。
市人大常委会主任计军，市委常委、高新区党工委副书记、管委会副主任顾文瑜，高新区党工委委员、管委会副主任赵志军参加活动。
昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。
走进昕感科技功率半导体芯片项目，热火朝天的施工景象映入眼帘。许峰一行详细了解项目建设进度，询问企业产品技术优势、市场布局等情况。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化，产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。昕感科技功率半导体芯片项目总投资20亿元，预计8月份设备进场调试，12月底正式投产，项目满载后产值可达数十亿元。
看到项目拔地而起、建设进度日新月异，许峰一行十分欣慰，希望企业在确保施工安全的前提上加快项目建设，加大产品关键技术研发攻关力度，并与江阴优质企业强化对接、形成合力，共同把企业做强，为江阴勇当发展新质生产力的排头兵赋能加持。高新区要主动作为、靠前服务，帮助企业及时解决项目建设过程中存在的困难和问题，推动项目早竣工、早投产、早见效。
昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。
昕感科技产品性能和可靠性对标国际一流企业，已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。截至目前昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家，产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。昕感科技是国内为数不多可进行6吋晶圆特色工艺生产的IDM厂商，后续可为客户提供更好的支持与服务。
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瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
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基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
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1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
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