瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

2024-08-06 瑶芯微电子公众号
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作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。


1.SiC MOSFET

650V G4 45/60mΩ

瑶芯650V 45mΩ和60mΩ SiC MOSFET均具备超高的耐压能力,在高压环境中可以稳定可靠地运行。低导通电阻是它们的显著优势之一,大大降低了功率损耗,提高了能源转换效率。


广泛用于工业及电动汽车领域,降低冷却成本,延长设备使用寿命,提高生产效率。并且有助于减小充电器和驱动系统的体积和重量,提高车辆的续航里程。

图 1

2.650V G5 25/45mΩ

瑶芯最新一代650V G5分立式SiC MOSFET,涵盖25mΩ/45mΩ等多款产品,无论是工业级还是车规级要求,都能完美满足。


其中最引人注目的是比导通电阻RDS(on)×Active area (Ron,sp)得到了极大优化,相比上一代650V G4,G5(Ron,sp)降低了38%!同时,对寄生电容CGD等参数的优化,使其在电源拓补电路中展现出超高效率。

图 3

3.1200V G4.5

瑶芯已量产的1200V G4.5技术平台AK1CK2MXXXWAM系列SiC MOSFET拥有14-80mΩ多个规格,在Ron与动态性能、开关损耗上均实现了相当大的提升。


无论是在电动汽车领域,还是其他新能源应用中,AKS 1200V G4.5技术平台都展现出了强大的竞争力。为用户带来了更高效、更可靠的使用体验。

图 4

4.1200V G5

瑶芯1200V G5 AK2CK2MXXXWAMH系列SiC MOSFET,采用更为先进的工艺平台,在G4.5的基础上再次迭代,Rsp进一步优化,降低9%;大大降低导通损耗,让充电过程更节能高效。同时,其高转换效率确保了电能的充分利用,可节省大量时间和成本。


此外,低开关损耗的特性使得充电桩在工作时发热更少,稳定性更高,延长了充电桩的使用寿命。

图 5

5.2300V G4

瑶芯2300V SiC MOSFET采用全新的TO-247Plus-4L封装,爬电距离满足2600V电气应力,在高压应用中,能够显著提高系统的效率,减少能源的浪费,为节能减排事业贡献力量。并且拥有快速开关速度,有助于降低电磁干扰,提升系统的整体性能和可靠性。


在工业驱动领域,广泛应用于大型电机的驱动控制,降低设备运行成本,提高生产效率。


在新能源发电领域,特别是风力发电和太阳能发电系统,能够提升逆变器的转换效率,使电能更高效地并入电网,增加了可再生能源的输出。


在轨道交通中,用于列车的牵引系统,能够实现更高的功率密度和更小的体积,同时提高运行的可靠性和稳定性。

图 6

SJ MOSFET

瑶芯基于超结(SJ)多层外延技术,推出全新G2.5平台SJ MOSFET,包含两大电压等级(600V&650V),相较于上一代,该系列不仅显著降低了比导通电阻(RDS(ON)*Area),还针对高频率高功率应用进行优化。其中采用TOLL封装的600V 35.5mΩ型号已实现量产,凭借其极低的导通损耗,优秀的开关性能以及抗干扰能力,在中高档开关电源(SMPS)例如服务器电源、通信电源等取得优异的表现。

图 7

SGT MOSFET

1.AK1G4N009GAL

瑶芯SGT MOSFET AK1G4N009GAL可用于元器件一级的解决方案,该产品在传统MOSFET管基础上进行改良,更加适配服务器电源设计需求。导通电阻更小,开关损耗降低,电源转换效率得到大幅度提升。

图 8

2.AK1G15N072GAMF

瑶芯全新一代150V SGT MOSFET产品AK1G15N072GAMF,品质因子(RDS(ON)*QG)相对于上一代产品优化了50%,显著改善了开关损耗和导通损耗,确保其在高频率高负载条件下提供卓越的性能表现。

图 9

3.AKG3N005GAL

瑶芯30V SGT MOSFET新产品AKG3N005GAL及AKG3N007GAL来自瑶芯微最新的30V SGT MOSFET平台,采用先进的PDFN5x6封装,拥有极低的导通电阻RDS(ON),能够显著降低导通损耗,适用于紧凑设计和高密度的应用场景。

图 10

IGBT MOSFET

1.1200V/140A

瑶芯推出全新G3平台H系列高速IGBT单管,包含两大电压等级(650V&1200V),该系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化,并配备了全电流快恢复二极管。凭借极低的开关损耗和导通损耗,H系列单管将成为光伏和储能应用的新星。其中,1200V H系列电流规格覆盖40A-140A,采用TO-247PLUS-4L封装的140A型号已实现规模化量产。相较于瑶芯微上一代1200V G2平台单管,G3平台H系列高速IGBT单管具有更好的表现,多颗大电流单管并联可以轻松实现100kW及以上逆变器。

图 11

2.650V/150A

650V H系列同样补全了大电流版图,100A至150A的强劲规格,搭配多样化的封装选择,从40A至150A全规格覆盖,满足不同场景下的精细需求。采用TO-247PLUS-4L封装的150A型号,凭借其卓越的电压抑制能力、极低的导通损耗及反向恢复损耗,为设计工程师提供了简化设计、减少器件并联的绝佳解决方案,让系统构建更加高效、灵活。

图 13


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  • 国丰 Lv7. 资深专家 2025-03-27
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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-09-20
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Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用

常州银河世纪微电子股份有限公司(Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.)发布了一系列IGBT产品,包括单管和模块,适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级,包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。

银河微电子  -  IGBT模块,IGBT芯片,工业和光伏组件,SGT MOS,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,HYBRID IGBT+SIC SBD,车用模组,屏蔽栅沟槽MOSFET,IGBT,混合IGBT+SIC SBD,IGBT单管,AUTOMOTIVE MODULE,PIM 模块,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M,变频器,电机控制,PFC,储能领域,新能源大巴,PTC公司,新能源车PTC,不间断电源,UPS,伺服,PTC加热器,DCDC,BMS电池管理系统,重卡,DCDC公司,交流焊机,便携式储能,壁挂式直流桩,家用电磁灶,逆变器,压缩机,热管理系统,新能源车空压泵,PTC,电机驱动领域,MAIN INVERTER主电机驱动器,直流充电桩,空调INVERTER,高频电源领域,数码发电机,空调,新能源车,空调压缩机,逆变电源,水泵,OBC,光伏领域,工缝,便携式逆变电源,商用电磁灶,高频电源,户储,储能,空压机,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,电机驱动,HV-LV DCDC变换器,OBC 车载充电机,充电桩,便携式储能电源,IH电饭煲,光伏,变频微波炉,感应加热领域,工业电源,新能源汽车领域,全氟化碳,数码电焊机,新能源车空压机,商灶,光伏逆变器,焊机

2024/7/31  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求,在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块,实现了管脚与风道之间的相互独立。同时,采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感,提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  -  DSP,FUSE,驱动光耦,SIC二极管,半导体制冷片TEC,H桥模块,SPFC模块,PCB导热材料,采样电阻,高压MOSFET,导热垫片,保险丝,4G模组,TVS,ANPFC模块,数字信号处理器,隔离芯片,相变材料,LDO,IGBT单管,电流检测,驱动IC,快恢复二极管,2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019,20KW充电桩,充电桩,60KW充电桩,充电栓,20KW~60KW充电桩

优选器件方案  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务 国产替代

【经验】一文介绍IGBT及MOSFET隔离驱动

IGBT和MOSFET隔离驱动是可靠的驱动绝缘栅器件,目前已经有很多成熟的电路。当不需要将驱动信号与功率器件隔离时,驱动电路的设计相对简单,目前有很多优秀的驱动集成电路。本文SLKOR为您介绍IGBT及MOSFET隔离驱动。

2022-01-12 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

【视频】瑶芯微中低压MOS、高压SJ MOS等产品介绍及应用案例分享

瑶芯微  -  碳化硅MOS,IGBT,高压SJ MOS,中低压MOS,SIC MOS,FRD,快恢复二极管,MEMS传感器,信号链IC,AKC65N065045TM,AKG4N008TM-A,AKG4N009DAM-A,AKCK2M040WAMH-A,AKG4N008GM-A,AKBK2A040WHH,开关电源,OBC,光储逆变,手机快充,车载,充电桩,BMS,消费,小电机,工业,MCU

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可根据用户端子定制线束,制程能力:Min: 0.13mm2、Max: 120mm2;具有设计方案验证、定案、样品交付及量产快速响应能力。

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