碳化硅器件的市场规模和前景如何?


碳化硅器件行业市场规模分析及前景
碳化硅作为一种重要的半导体材料,在新能源汽车、5G通信等领域有着广泛的应用前景。近期,多家碳化硅(SiC)上市企业陆续披露了 2024 年半年报,瑞之辰从中发现各家企业呈现出不同的发展态势。
扭亏为盈,盈利企业势头良好
在已公布半年报的企业中,晶升股份预计 2024 年上半年净利润实现同比增长 118.72 - 141.92%。目前,晶升股份 8 英寸 SiC 长晶设备已实现批量出货,产品类别丰富,能满足客户差异化、定制化需求,逐步成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。
天岳先进扭亏为盈,上半年营收 9.12 亿元,同比增长 108.27%。产品方面,已实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应,客户涵盖国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。
扬杰科技实现营收净利双增长。扬杰科技致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展,产品广泛应用于汽车电子、清洁能源、5G 通讯、安防、工业、消费类电子等领域。
纳芯微虽然归母净利润为负,但实现营收 8.49 亿元,同比增长 17.30%。随着下游汽车电子领域需求稳健增长,其汽车电子领域相关产品持续放量,以及消费电子领域景气度的持续改善,实现了营收的同比增长。
负重爬坡,亏损企业仍在前行
士兰微上半年6英寸SiC功率器件芯片处于产能爬坡阶段,预计2024年上半年实现归母净利润为 -3000 万元到 -2000 万元。其子公司士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线尚处于产能爬坡阶段,固定生产成本相对较高,导致亏损较大。不过,目前士兰明镓SiC芯片生产线已处于较快上量中,下半年亏损有望逐步减少。同时,士兰微持续加大研发投入,加快汽车级、工业级电路和器件芯片工艺平台建设进度。
东尼电子预计 2024 年上半年实现归母净利润 -6800万元到 -4800万元。今年上半年,东尼电子在SiC扩产方面有新进展,其2021年非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”已于2023年上半年实施完毕,并计划在该募投项目基础上进一步扩建。
尽管部分企业在上半年出现亏损,但它们都没有停下发展的脚步。无论是处于产能爬坡阶段的企业,还是在扩产方面积极进取的企业,都在为碳化硅产业的未来努力拼搏。
此外,瑞之辰科技同样也在大力发展碳化硅(SiC)功率器件,并且实力不俗。深圳市瑞之辰科技有限公司成立于2007年,主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权,拥有百项发明专利和实用新型专利。成近年来公司研发了SiC 、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车、高铁、电网等领域。在当前碳化硅行业竞争激烈的情况下,瑞之辰科技正以实力推动行业发展,为碳化硅产业贡献力量。
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瞻芯电子 - 碳化硅 (SIC) MOSFET,驱动和控制芯片,IV3Q12120T9Z*,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV3Q33050T4*,IV2Q07014T4Z,IV3Q12035D7ZB,IV2Q12100D7Z,IV1Q12050D7Z,IV3Q12150T4Z*,IV3Q12060T4Z*,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IV3Q12018K1Z*,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IV2Q12040T4Z,IV3Q12018T4Z*,IV1Q12080T3Z,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV2Q17080T4Z*,IV3Q12035T4Z*,IV2Q12200D7Z,IV2Q17020T4Z*,IV2Q20045T4,IV2Q12030D7Z,IV1Q12750T3,IV2Q06060T4Z,IV3Q12060D7Z*,IV1Q06060T4ZGB,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV1Q06060T3G,IV2Q12065D7Z,IV3Q12150K1Z*,IV2Q12160T4Z,IV1Q12017T4G,IV3Q06025T4Z*,IV3Q12120K1Z*,IV2Q12200T4Z,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV2Q06060L1*,IV3Q12150D7Z*,IV3Q12035T4ZB*,IV3Q12120D7Z*,IV3Q12035K1Z*,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12080T4Z,IV2Q171R0T3,IV1Q12160D7Z,IV3Q12013T4Z,IV2Q12040K1Z,IV2Q06025D7Z,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV3Q12021K1Z*,IV3Q12035T9ZB*,IV3Q07011T4Z3R*,IV3Q12120T4Z*,IV3Q12150T9Z*,IV1Q06060D7G,IV2Q12017T4Z,IV2Q12160D7Z,IV3Q12021T4Z*,IV2Q06060D7Z,IV3Q12035T9Z*,IV3Q12060T9Z*,IV1Q06040T4Z,IV1Q06060T4ZG,IV1Q12030T4G,IV3Q12035K1ZB*,IV2Q12080T4Z,IV1Q12080T3,IV3Q12075K1Z*,IV3Q12035D7Z,IV1Q12080T4,IV2Q12080D7Z,IV1Q12050T4Z,IV2Q12100T4Z,IV2Q17040T4Z*,IV3Q12075T9Z*,IV3Q14025T9Z,IV3Q12060K1Z*,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV3Q12075D7Z*,IV2Q06025T4Z,通信与工业电源,充电桩,储能变流器,新能源汽车,光伏逆变器,AI 服务器供电和家电
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作为深耕半导体器件与智能传感器领域的国家高新技术企业,深圳市瑞之辰科技有限公司始终以科技创新为引擎,聚焦碳化硅功率器件、智能压力传感器等核心产品的研发与应用,深度融入新能源汽车、低空无人机等战略性新兴产业链,为构建现代化产业体系贡献科技力量。
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深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
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