中国新能源汽车的几何式发展,倒推SiC碳化硅市场扩张

2024-12-04 世强
车规级碳化硅SiC功率器件,SiC功率器件,SiC二极管,SiC MOSFET 车规级碳化硅SiC功率器件,SiC功率器件,SiC二极管,SiC MOSFET 车规级碳化硅SiC功率器件,SiC功率器件,SiC二极管,SiC MOSFET 车规级碳化硅SiC功率器件,SiC功率器件,SiC二极管,SiC MOSFET

近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

SiC功率器件的优势

2017年,电动汽车制造商特斯拉颠覆性在其逆变器中采用了SiC,SiC由此走入大众视野。近年来随着新能源类汽车市场的发展,倒推对SiC功率器件的需求呈现出爆炸式增长,多家国际半导体巨头纷纷宣布未来将扩大SiC产能,以满足终端系统尤其是新能源汽车的需求。


SiC功率器件主要应用于电动汽车、充电桩中。它具有高温稳定性、高电子迁移率、低损耗和高速度等优点。SiC功率器件可以提高新能源汽车的续航里程,并解决充电焦虑问题。除了汽车外,工业、能源和铁路应用也提供了额外的市场增长空间。


SiC产业链的发展

碳化硅产业链从上游到下游主要包括单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。上游为衬底和外延,中游为器件和模块制造环节,包括SiC二极管SiC MOSFET全SiC模块SiC混合模块等,下游应用于5G通信、国防应用、数据传输、航空航天、新能源汽车、光伏产业、轨道交通、智能电网等领域。


在上游,在碳化硅器件的制造成本结构中,衬底成本通常占据最大比例,占比可达47%,其次是外延成本,占比约23%。这两大工序是碳化硅器件的重要组成部分,它们的制备难度非常大,技术以及成本也非常高。


在中游,SiC功率器件市场规模持续增长,2023年全球SiC功率器件市场规模达19.72亿美元,预计2024年将增至26.23亿美元。全球SiC器件市场格局仍由海外巨头主导,国内厂商市场占有率正快速提升。随着5G、人工智能、新能源等领域的发展提速,对碳化硅需求猛增,产业的关注度日益增高,国产化替代成为发展趋势。


中国SiC产业链正在迅速发展,但与国际巨头相比仍存在差距。目前中国SiC的产能规划投资总计约1000亿元人民币,如果能够顺利进行量产,将能满足大约3000万辆新能源汽车的需求。面对新能源汽车几何式的发展,国内SiC厂商应尽早布局,抢占行业先机。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:开云app官方登录入口平台www.megalevels.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:开云app官方登录入口平台电子商城www.megalevels.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:开云app官方登录入口平台www.megalevels.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:开云app官方登录入口平台www.megalevels.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由扶摇转载自世强,原文标题为:中国新能源汽车的几何式发展,倒推SiC碳化硅市场扩张,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

平台合作

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

2024-11-11 -  行业资讯 代理服务 技术支持 采购服务

碳化硅器件的市场规模和前景如何?

碳化硅作为一种重要的半导体材料,在新能源汽车、5G通信等领域有着广泛的应用前景。近期,多家碳化硅(SiC)上市企业陆续披露了 2024 年半年报,瑞之辰从中发现各家企业呈现出不同的发展态势。

2024-10-31 -  行业资讯 代理服务 技术支持 采购服务

高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

2024-08-10 -  行业资讯 代理服务 技术支持 采购服务

中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南

中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

中电国基南方  -  车规 SBD 芯片晶圆,SIC场效应晶体管,碳化硅结型场效应晶体管,SIC二极管,SIC 顶部散热器件,SIC 智能功率模块,半桥器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET,SIC G4 肖特基二极管,SIC MOS,SIC SBD,G2 SIC MOSFET,碳化硅MOS,SIC SBD 芯片晶圆,SIC JFET,塑封器件,全塑封碳化硅器件,SIC备用电池,三相桥模块,WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B,电网传输,电机控制器,XEV 中的 OBC,储能系统,家用电子设备,高压电源,充电模块,电动汽车,XEV 中的 DC-DC,XEV 中的空压机电机,高速工业开关模式电源,电网输变电,储能,服务器电源,电机驱动,充电设备,车载DCDC,新能源发电,电力电子变压器,PFC 电源,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,新能源汽车,太阳能发电,脉冲电源,电动汽车充电设备,逆变器,XEV 中的空压机控制器,光伏升压电路,轨道交通,通信电源,电动汽车快充,SMPS,DC/DC 变换器

2024/7/30  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

SiC器件“高烧不退”的终极解药!银烧结技术通过低温工艺与高可靠连接,为SiC功率器件提供了突破高温瓶颈的终极方案

银烧结技术通过低温工艺与高可靠连接,为SiC功率器件提供了突破高温瓶颈的终极方案。爱仕特基于实测数据与行业验证,持续优化产品性能,助力客户在工业电源、电动汽车与航空航天领域实现效率与可靠性的双重跃升。随着材料与工艺的迭代,这项技术有望在更广阔的能源领域释放潜力,推动电力电子系统向更高效、紧凑的未来迈进。

2025-03-24 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案,体积大幅降低70%以上,性能优异,成本更低

瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案,采用恒流控制的buck电路,可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅(SiC)MOSFET和碳化硅(SiC)SBD组成恒流充电回路,整个预充过程电流恒定,既降低了对于功率器件的要求,同时也大大提高了预充速度,而且不需要电阻,即可让后级电容充到母线电压。

2023-11-20 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

碳化硅功率半导体和芯片解决方案

本资料为上海瞻芯电子科技股份有限公司发布的碳化硅功率半导体和芯片解决方案产品手册。手册介绍了瞻芯电子在碳化硅(SiC)半导体领域的研发成果,包括SiC MOSFET分立器件、SiC MOSFET晶圆、SiC SBD分立器件、SiC SBD晶圆、SiC模块、栅极驱动芯片和图腾柱PFC控制芯片等产品。产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能变流器等领域,并具备车规级标准。手册还展示了瞻芯电子的荣誉和资质,以及联系方式。

瞻芯电子  -  碳化硅功率半导体,芯片解决方案,IV1Q06040T3,IVCR1401DR,IV1D06004F5,IV1B12013HA1L,IV2Q06025T4Z,通信与工业电源,家电,充电桩,储能变流器,新能源汽车,光伏逆变器,AI 服务器供电

November 2024  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

2024-11-01 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南

公司简介    命名规则及包装形态    SiC MOSFET    SiC肖特基二极管    SiC SBD模块    SiC MOSFET模块    应用+产品推介    公司实验室平台    长期可II性试验测试参考表   

扬杰科技  -  MOSFET,WAFER,外延晶片,SIC场效应晶体管,硅晶片,硅锭,半导体分立器件,碳化硅SBD模块,PROTECTION DIODE,SIC,EPI WAFER,SIC SBD,IGBT,功率模块,整流器件,SIC 肖特基二极管,SIC MOSFET,晶圆,SIC备用电池,单晶硅棒,SIC MOSFET模块,RECTIFIER,SIC MOSFET 分立器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET,硅片,SIC SBD MODULE,SIC SBD MODULE,SIC MOSFET模块,保护二极管,整流器,SILICON WAFER,分立器件芯片,SIC MOSFET MODULE,SILICON INGOT,外延片,SIC SBD模块,保护器件,YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2,车载充电系统,清洁能源,汽车,可再生能源应用,AUTOMOTIVE,充电桩,新能源汽车,AUTOMOTIVE SIC DEVICE,OBC,SIC MOSFET OBC,电源,SIC MOSFET OBC,电动汽车车载充电系统,车载DC/DC,清洁能源应用,汽车用SIC器件,电源转换系统,工业电机驱动,光伏储能逆变,光储充

2023年09月  - 选型指南  - 第一版 代理服务 技术支持 采购服务

关于SiC功率器件的开关损耗

碳化硅(SiC)作为一种先进的半导体材料,具有很多传统硅材料无法比拟的优点。首先,碳化硅的禁带宽度比硅大,这意味着它在导电性能上具有更高的效率和更低的损耗。其次,碳化硅的热导率比硅高,这使得它能够在更高的温度下稳定工作。再者,碳化硅的电子迁移率也优于硅,这使得它在高频应用中表现出色。此外,碳化硅还具有很好的化学稳定性和耐磨性。

2025-02-26 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。

2023-06-22 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

东海半导体授权开云app官方登录入口,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

2023-09-18 -  签约新闻 代理服务 技术支持 采购服务

SiC类半导体器件的起源

在当今科技飞速发展的半导体领域,SiC(碳化硅)类半导体器件正逐渐崭露头角,成为众多前沿应用的核心力量。作为专注于 SiC MOSFET 和碳化硅二极管研发生产的萃锦半导体,深知这背后蕴含的深厚历史底蕴与技术突破历程。今天,就让我们一同开启 SiC 类半导体器件的起源探索之旅。

2025-02-19 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

1700V SiC MOSFET在低功率辅助电源中的应用,具有更轻便、更低成本的特点

650V-1200V碳化硅功率器件的市场应用越发普遍。随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出,碳化硅半导体技术的众多优势已惠及电源、储能、电车、工业应用等各个细分市场。SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划,并将于2024年下半年实现大批量量产。

2024-05-31 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:萃锦半导体

品类:SiC Diode

价格:¥1.1900

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC Diode

价格:¥6.0800

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC Diode

价格:¥7.1600

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥6.7300

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥7.3700

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥7.7600

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥6.2600

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥7.6800

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥11.4800

现货: 5,000

品牌:萃锦半导体

品类:SiC MOSFET

价格:¥19.3300

现货: 5,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥13.5799

现货:27

品牌:CREE

品类:Six Channel SiC MOSFET Driver

价格:¥2,765.7315

现货:3

品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥25.2282

现货:2

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

贴片LED二极管/灯珠定制

可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。

最小起订量:30000 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址:深圳/苏州 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

平台客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面